半導(dǎo)體生產(chǎn)用超純?cè)O(shè)備概述：
　　半導(dǎo)體生產(chǎn)用超純水對(duì)TOC、DO、SIO2、Particulate的控制嚴(yán)格，達(dá)到PPb級(jí)，生產(chǎn)水質(zhì)在18.2m * CM(25)以上。
　　超純?cè)O(shè)備用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)：
　　半導(dǎo)體芯片上的水主要在前端晶體硅片冷卻劑上，在基板晶片感應(yīng)清洗水、中間晶片飛濺電鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗、后端感應(yīng)封裝清洗上。LED芯片主要在前一段是MOCVD外延片生長用水，中間部分主要檢測暴露、現(xiàn)象、光阻清潔用水，后面部分檢測包裝用水。另一方面，半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)TOC的要求很高。
　　超純?cè)O(shè)備的工藝是根據(jù)不同的進(jìn)水水質(zhì)和出水要求設(shè)計(jì)的，因此，根據(jù)不同的原水質(zhì)量特性設(shè)計(jì)超純?cè)O(shè)備方案是經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的，同時(shí)也是水質(zhì)長期穩(wěn)定滿足要求的保證。超純?cè)O(shè)備的用途不同，可能有不同的制造過程，或者結(jié)合幾種工藝，水質(zhì)達(dá)到預(yù)期的效果，也可以按類別大致劃分，分為比較常用的預(yù)處理系統(tǒng)、反滲透系統(tǒng)、EDI電脫鹽超純系統(tǒng)、精密處理系統(tǒng)等。
　　半導(dǎo)體生產(chǎn)用超純?cè)O(shè)備工藝：
　　反滲透純?cè)O(shè)備
　　RO反滲透膜的工作原理是對(duì)水施加一定的壓力，使水分子和離子狀態(tài)的礦物元素通過一層半透膜，溶于水的大部分無機(jī)鹽(包括重金屬)、有機(jī)物、細(xì)菌、病毒等不能通過反滲透膜而通過的純凈水和不能通過的濃縮水嚴(yán)格分離。
　　半透膜的孔徑僅為0.0001um，但病毒的直徑一般為0.02-0.4um，普通細(xì)菌的直徑為0.4-1um。反滲透純水機(jī)的正常運(yùn)行取決于一定的壓力，這種壓力大于滲透膜的滲透壓力，通常為2.8千克/平方厘米。
　　在水壓或水壓不穩(wěn)定的地區(qū)，建議購買帶有前置增壓泵的反滲透純水系統(tǒng)。該系統(tǒng)工作壓力達(dá)到0.3-0.6Mpa，不受自來水壓力的限制，水效率高，速度快，濃縮水少。
　　反滲透有效脫鹽，一次反滲透設(shè)備出水電阻率一般為0.05-0.5M。是厘米。該純系統(tǒng)水生產(chǎn)質(zhì)量穩(wěn)定，是目前比較普通的純生產(chǎn)設(shè)備，生產(chǎn)質(zhì)量基本滿足FPC/PCB生產(chǎn)需求。
　　EDI電脫鹽超純水系統(tǒng)
　　連續(xù)電脫鹽(EDI、Electro deionization或CDI、Continuous Electrode Ionization)利用混合離子交換樹脂吸附在水中的陰陽離子上，同時(shí)吸附的離子在DC電壓的作用下這個(gè)過程是離子交換樹脂在電上連續(xù)再生的，所以不需要用酸和堿再生。
　　這項(xiàng)新技術(shù)取代了傳統(tǒng)的離子交換裝置，*高可達(dá)18。可以生產(chǎn)厘米的超純水。整個(gè)過程前面的部分與一般的水處理過程沒有太大區(qū)別。一般先經(jīng)過預(yù)處理，再加入藥物清除病毒，然后經(jīng)過RO反滲透系統(tǒng)，使用EDI設(shè)備制作超純水。